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RFD20N03

RFD20N03

RFD20N03

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD20N03 データシート

compliant

RFD20N03 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
10550 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1150 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 90W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

FDB20N50F
FDB20N50F
$0 $/ピース
NTTFS4C13NTAG
NTTFS4C13NTAG
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DMP2037U-7
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$0 $/ピース
TPN1600ANH,L1Q
SIHH21N60E-T1-GE3
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$0 $/ピース
PXN8R3-30QLJ
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$0 $/ピース
IRFZ44RPBF-BE3
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$0 $/ピース
BSS169H6327XTSA1
SI1013X-T1-GE3
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$0 $/ピース
AOD516

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