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RFD20N03SM

RFD20N03SM

RFD20N03SM

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RFD20N03SM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
8441 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1150 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 90W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FQB12P20TM
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$0 $/ピース
IPI120N04S401AKSA1
SSM3K72KCT,L3F
IMBF170R1K0M1XTMA1
DMG301NU-7
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$0 $/ピース
BUK7Y7R8-80EX
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BUK9529-100B/C127
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STP6NK60ZFP
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IXTH160N10T
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IXFH180N20X3
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