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RFD3N08L

RFD3N08L

RFD3N08L

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD3N08L データシート

compliant

RFD3N08L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
1346 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

DMNH6010SCTB-13
NVB260N65S3
NVB260N65S3
$0 $/ピース
2SK3354-AZ
2SK3354-AZ
$0 $/ピース
ISC012N04LM6ATMA1
IPA029N06NM5SXKSA1
RJL5014DPP-E0#T2
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$0 $/ピース
2SK1169-E
IPN60R1K5PFD7SATMA1
DMPH4029LFGQ-7
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$0 $/ピース
IRF543
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$0 $/ピース

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