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RFD3N08LSM9A

RFD3N08LSM9A

RFD3N08LSM9A

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

RFD3N08LSM9A 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
2425 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 125 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

UJ3C120070K3S
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$0 $/ピース
SQR100N04-3M8R_GE3
STL17N60M6
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$0 $/ピース
IXTY64N055T-TRL
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$0 $/ピース
DMP3008SFG-7
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$0 $/ピース
DMT2004UPS-13
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$0 $/ピース
BSC886N03LS G
NVMFWS040N10MCLT1G
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R6504KNXC7G
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A2N7002HL-HF
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$0 $/ピース

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