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RFD4N06L

RFD4N06L

RFD4N06L

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD4N06L データシート

非準拠

RFD4N06L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
1424 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

DMN2710UWQ-7
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$0 $/ピース
SIR690DP-T1-RE3
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PJF6NA70_T0_00001
NTNS3CS94NZT5G
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RFD16N02L
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DMTH6016LPS-13
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IRFR91109A
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UJ3C120080K3S
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