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RFD7N10LE

RFD7N10LE

RFD7N10LE

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD7N10LE データシート

非準拠

RFD7N10LE 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
5942 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 7A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) +10V, -8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 360 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 47W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

NVBLS4D0N15MC
NVBLS4D0N15MC
$0 $/ピース
IAUC100N04S6N015ATMA1
MMFTN138
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$0 $/ピース
2SK1445LS
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$0 $/ピース
RMA7N20ED1
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$0 $/ピース
RFD3055
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$0 $/ピース
UPA502T(0)-T2-A
FQPF13N50CTC003
APT50M75LFLLG
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$0 $/ピース
SI7434ADP-T1-RE3
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$0 $/ピース

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