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RFD8P06LE

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P-CHANNEL POWER MOSFET

RFD8P06LE データシート

非準拠

RFD8P06LE 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
7200 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 675 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

SQJQ402E-T1_GE3
SQJQ402E-T1_GE3
$0 $/ピース
STB19NF20
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$0 $/ピース
BUK7Y2R5-40HX
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$0 $/ピース
FDMC8360L
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$0 $/ピース
RS1E350BNTB
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$0 $/ピース
FDC654P
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$0 $/ピース
APT58F50J
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$0 $/ピース
SSM3K62TU,LF
TN0106N3-G-P013
DMT10H032LSS-13

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