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RFG50N05

RFG50N05

RFG50N05

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFG50N05 データシート

compliant

RFG50N05 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.82000 $4.82
500 $4.7718 $2385.9
1000 $4.7236 $4723.6
1500 $4.6754 $7013.1
2000 $4.6272 $9254.4
2500 $4.579 $11447.5
145 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 50 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250nA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 160 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 132W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

RJK03P9DPA-WS#J5A
IPI70R950CEXKSA1
IPBE65R115CFD7AATMA1
IRF244
IRF244
$0 $/ピース
DMT6030LFCL-7
DMT6030LFCL-7
$0 $/ピース
NVTYS029N08HLTWG
NVTYS029N08HLTWG
$0 $/ピース
BSF083N03LQG
BSF083N03LQG
$0 $/ピース
N0607N-ZK-E1-AY
DMT10H9M9SSS-13
SPB160N04S2-03

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