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RFH10N50

RFH10N50

RFH10N50

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFH10N50 データシート

compliant

RFH10N50 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.61000 $3.61
500 $3.5739 $1786.95
1000 $3.5378 $3537.8
1500 $3.5017 $5252.55
2000 $3.4656 $6931.2
2500 $3.4295 $8573.75
302 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-218 Isolated
パッケージ/ケース TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
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関連部品番号

FDR836P
FDR836P
$0 $/ピース
2SK4144-AZ
UJ4C075060K3S
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$0 $/ピース
FDPF18N50T-G
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$0 $/ピース
DMP1012USS-13
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$0 $/ピース
IMZA120R007M1HXKSA1
2SK3354-Z-E1
STB50N65DM6
STB50N65DM6
$0 $/ピース
2SK3511-S19-AY
IPB040N08NF2SATMA1

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