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RFH30N12

RFH30N12

RFH30N12

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFH30N12 データシート

compliant

RFH30N12 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
268 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-218 Isolated
パッケージ/ケース TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
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関連部品番号

NTMFS4C10NAT1G
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$0 $/ピース
NVMFWS3D6N10MCLT1G
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$0 $/ピース
ISC0603NLSATMA1
2SK4100LS
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$0 $/ピース
APTM100UM65SCAVG
SSF10N80A
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$0 $/ピース
MSJP11N65A-BP
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$0 $/ピース
VMO550-01F
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$0 $/ピース
MCG50P03-TP
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$0 $/ピース
SCT2450KEGC11
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$0 $/ピース

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