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RFL1N12

RFL1N12

RFL1N12

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFL1N12 データシート

compliant

RFL1N12 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
845 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 8.33W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-205AF (TO-39)
パッケージ/ケース TO-205AF Metal Can
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関連部品番号

DMT35M4LFDF4-7
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$0 $/ピース
2SK1286-AZ
NTMFS4C805NAT3G
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$0 $/ピース
SUK3015
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$0 $/ピース
IXTT140N075L2HV-TR
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$0 $/ピース
2SK4180-T1-A
RRS090P03HZGTB
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$0 $/ピース
STL13NM60N
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$0 $/ピース
AOY2610E

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