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RFL1N15

RFL1N15

RFL1N15

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFL1N15 データシート

compliant

RFL1N15 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
4903 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 8.33W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-205AF (TO-39)
パッケージ/ケース TO-205AF Metal Can
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関連部品番号

APT9M100S/TR
APT9M100S/TR
$0 $/ピース
STU7N65M6
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NDP4050
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$0 $/ピース
DMT47M2SFVW-7
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$0 $/ピース
UF3C120040K3S
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$0 $/ピース
DMN2451UFB4-7B
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$0 $/ピース
IRFR320TRPBF-BE3
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$0 $/ピース
IPP65R075CFD7AAKSA1
IPF024N10NF2SATMA1
IPP014N06NF2SAKMA2

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