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RFP10N15L

RFP10N15L

RFP10N15L

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFP10N15L データシート

compliant

RFP10N15L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
36313 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

STD80N6F7
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NVMFS5C456NT1G
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IRFR9014TRLPBF
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RCJ451N20TL
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IPD038N06N3GATMA1
SI2306BDS-T1-BE3
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$0 $/ピース
NTMFS4833NT3G
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STL19N65M5
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FCMT250N65S3
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NTP2955G
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