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RFP2N15

RFP2N15

RFP2N15

Harris Corporation

N-CHANNEL, MOSFET

RFP2N15 データシート

compliant

RFP2N15 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.61000 $0.61
500 $0.6039 $301.95
1000 $0.5978 $597.8
1500 $0.5917 $887.55
2000 $0.5856 $1171.2
2500 $0.5795 $1448.75
2411 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

2SK2111(0)-T1-AZ
DMT3006LFG-13
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$0 $/ピース
NTD5C632NLT4G
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$0 $/ピース
BSF885N03LQ3GXUMA1
UPA2593T1H-T1-AT
SQJQ144AE-T1_GE3
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$0 $/ピース
E3M0060065D
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$0 $/ピース
H5N3301LSTL-E
SI3453DV-T1-GE3
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$0 $/ピース
2SK3455B-S17-AY
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$0 $/ピース

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