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RFP50N05

RFP50N05

RFP50N05

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFP50N05 データシート

非準拠

RFP50N05 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
30879 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 50 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250nA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 160 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 132W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

NX2301P,215
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RJK03P6DPA-00#J5A
MCB90N12-TP
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IPL65R095CFD7AUMA1
NVMFWS0D4N04XMT1G
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DMP2006UFGQ-7
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NVMYS1D6N04CLT1G
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NVMFS5C430NLWFET1G
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