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RFP8P06LE

RFP8P06LE

RFP8P06LE

Harris Corporation

P-CHANNEL POWER MOSFET

RFP8P06LE データシート

compliant

RFP8P06LE 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
1578 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 300mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 675 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

DMP4015SPSQ-13
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DMTH6005LPS-13
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SQW44N65EF-GE3
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$0 $/ピース
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NTTFS4C025NTAG
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DMN6013LFG-7
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RJK0391DPA-WS#J53
NTP5860NG
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STL18NM60N
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2N7002HV-TP
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