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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | - |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 4.9A (Ta) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 53mOhm @ 4.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 25nC @ 10V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 750pF @ 15V |
パワー - 最大 | 900mW (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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