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SI6467DQ

SI6467DQ

SI6467DQ

P-CHANNEL MOSFET

SI6467DQ データシート

compliant

SI6467DQ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
3230 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 9.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 96 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5878 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 600mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-TSSOP
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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関連部品番号

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SQJ464EP-T1_BE3
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IPP08CNE8NG
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STH270N4F3-2
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APT18M100S
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IRL630PBF
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