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SSR2N60B

SSR2N60B

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N-CHANNEL POWER MOSFET

SSR2N60B データシート

compliant

SSR2N60B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 490 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SI1308EDL-T1-BE3
SI1308EDL-T1-BE3
$0 $/ピース
RFD14N05LSM9A
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$0 $/ピース
RVQ040N05HZGTR
RVQ040N05HZGTR
$0 $/ピース
DMP2047UCB4-7
DMP2047UCB4-7
$0 $/ピース
BSZ42DN25NS3GATMA1
AOD7S65
SSM3J140TU,LXHF
IPU80R3K3P7AKMA1
NP50P04KDG-E1-AY
SI7104DN-T1-E3
SI7104DN-T1-E3
$0 $/ピース

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