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SSS1N60B

SSS1N60B

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N-CHANNEL POWER MOSFET

SSS1N60B データシート

非準拠

SSS1N60B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
3684 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 215 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 17W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

DMN3404LQ-7
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SIR4608DP-T1-GE3
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2SK1629-E
MTAJ3055EL
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SQM40022E_GE3
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NTMFS5C450NLT1G
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BUK9217-75B,118
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