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SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SSW7N60BTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
697 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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