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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
駆動構成 | Half-Bridge |
チャンネルタイプ | Independent |
ドライバーの数 | 2 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 12V ~ 18V |
ロジック電圧 - vil、vih | - |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 10A, 10A |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 1200 V |
上昇/下降時間(標準) | - |
動作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
取り付けタイプ | - |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
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