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1N4006B-G

1N4006B-G

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Comchip Technology

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

SOT-23

1N4006B-G データシート

非準拠

1N4006B-G 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.03348 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 800 V
電流 - 平均整流 (io) 1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.1 V @ 1 A
スピード Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) -
電流 - 逆方向漏れ @ vr 5 µA @ 800 V
静電容量 @ vr、f 15pF @ 4V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ DO-41
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 150°C
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