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BS107PSTZ

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

BS107PSTZ データシート

非準拠

BS107PSTZ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.6V, 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 30Ohm @ 100mA, 5V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 85 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ E-Line (TO-92 compatible)
パッケージ/ケース E-Line-3
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関連部品番号

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CSD17579Q5AT
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SQP50P03-07_GE3
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FQPF13N50C-ON
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$0 $/ピース
SI2343CDS-T1-GE3
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NTD4863NAT4G
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