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BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 60V/50V

SOT-23

非準拠

BSS8402DWQ-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.17145 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V, 50V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 115mA, 130mA
rds オン (最大) @ id、vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds 50pF @ 25V
パワー - 最大 200mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-363
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