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DGD2103MS8-13

DGD2103MS8-13

DGD2103MS8-13

Diodes Incorporated

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

非準拠

DGD2103MS8-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.54400 -
5,000 $0.52020 -
12,500 $0.50320 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
駆動構成 Half-Bridge
チャンネルタイプ Independent
ドライバーの数 2
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 10V ~ 20V
ロジック電圧 - vil、vih 0.8V, 2.5V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 290mA, 600mA
入力タイプ Inverting, Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
上昇/下降時間(標準) 70ns, 35ns
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
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