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DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

非準拠

DMG1016VQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.16850 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 870mA, 640mA
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.74nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 60.67pF @ 16V
パワー - 最大 530mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-563
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