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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

compliant

DMG6602SVT-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.10560 -
6,000 $0.09592 -
15,000 $0.08624 -
30,000 $0.08140 -
75,000 $0.07317 -
150,000 $0.07075 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.4A, 2.8A
rds オン (最大) @ id、vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 400pF @ 15V
パワー - 最大 840mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ TSOT-26
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関連部品番号

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