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DMJ65H430SCTI

DMJ65H430SCTI

DMJ65H430SCTI

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A

compliant

DMJ65H430SCTI 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.42560 $2.4256
500 $2.401344 $1200.672
1000 $2.377088 $2377.088
1500 $2.352832 $3529.248
2000 $2.328576 $4657.152
2500 $2.30432 $5760.8
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 430mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 775 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ ITO220AB-N (Type HE)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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関連部品番号

SL3007-TP
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