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DMJ65H650SCTI

DMJ65H650SCTI

DMJ65H650SCTI

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB

compliant

DMJ65H650SCTI 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.79680 $1.7968
500 $1.778832 $889.416
1000 $1.760864 $1760.864
1500 $1.742896 $2614.344
2000 $1.724928 $3449.856
2500 $1.70696 $4267.4
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 639 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ ITO-220AB (Type TH)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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関連部品番号

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IRL510PBF-BE3
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