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DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

compliant

DMN1019USN-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.13139 -
30,000 $0.12173 -
50,000 $0.11771 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 2.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50.6 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2426 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 680mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SC-59-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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