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DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

非準拠

DMN10H099SFG-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.29618 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1172 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 980mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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