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DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 17A TO252

compliant

DMN10H099SK3-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.28002 -
5,000 $0.26286 -
12,500 $0.25428 -
25,000 $0.24960 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1172 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 34W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

RSJ450N04TL
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$0 $/ピース
IRF740BPBF
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IPB90N06S4L04ATMA2
BUK6E3R2-55C,127
NTMFS5C442NLTT1G
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$0 $/ピース
BB504CDS-TL-H
PSMN9R0-25MLC,115
PSMN2R5-30YL,115
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$0 $/ピース
IXFK170N10
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$0 $/ピース

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