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DMN10H170SFGQ-13

DMN10H170SFGQ-13

DMN10H170SFGQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

非準拠

DMN10H170SFGQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.31150 $0.3115
500 $0.308385 $154.1925
1000 $0.30527 $305.27
1500 $0.302155 $453.2325
2000 $0.29904 $598.08
2500 $0.295925 $739.8125
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 870.7 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 940mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

IPDQ60R045CFD7XTMA1
TK25V60X5,LQ
DMP6050SPS-13
DMP6050SPS-13
$0 $/ピース
FDMS8674
FDMS8674
$0 $/ピース
IXFP14N55X2M
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$0 $/ピース
IAUT300N08S5N011ATMA1
TPW3R70APL,L1Q
AONS36306
IMW120R040M1HXKSA1
FDBL0150N60

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