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DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7

DMN10H170SFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

compliant

DMN10H170SFGQ-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.30576 $0.30576
500 $0.3027024 $151.3512
1000 $0.2996448 $299.6448
1500 $0.2965872 $444.8808
2000 $0.2935296 $587.0592
2500 $0.290472 $726.18
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 870.7 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 940mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

STY30N50E
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$0 $/ピース
IPA600N25NM3SXKSA1
R6009KNXC7G
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$0 $/ピース
2SK1283(1)-AZ
NTTFS030N06CTAG
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