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DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 12A TO252

非準拠

DMN10H170SK3Q-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.29797 -
5,000 $0.27971 -
12,500 $0.27058 -
25,000 $0.26560 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 140mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1167 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

G3R160MT12D
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NVTFS5C478NLTAG
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BSS126IXTSA1
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APT5010B2FLLG
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IPAN60R650CEXKSA1
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SPD07N60S5
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DMN62D0LFB-7B
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$0 $/ピース

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