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DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

非準拠

DMN10H220LE-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.26925 -
5,000 $0.25275 -
12,500 $0.24450 -
25,000 $0.24000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 401 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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