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DMN10H6D2LFDB-13

DMN10H6D2LFDB-13

DMN10H6D2LFDB-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

非準拠

DMN10H6D2LFDB-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.08235 $0.08235
500 $0.0815265 $40.76325
1000 $0.080703 $80.703
1500 $0.0798795 $119.81925
2000 $0.079056 $158.112
2500 $0.0782325 $195.58125
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 270mA (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.2nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 41pF @ 50V
パワー - 最大 700mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type B)
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