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DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333

compliant

DMN2005UFG-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 164 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6495 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.05W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

AONS36303
STL105N8F7AG
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NTMTS1D5N08H
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DMP2010UFG-7
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NDCTR15120A
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NVMTSC4D3N15MC
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DMN6069SFG-13
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