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DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

非準拠

DMN2014LHAB-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.21374 -
6,000 $0.20140 -
15,000 $0.18906 -
30,000 $0.18042 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A
rds オン (最大) @ id、vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1550pF @ 10V
パワー - 最大 800mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2030-6 (Type B)
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関連部品番号

SQ3989EV-T1_BE3
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$0 $/ピース
FDS4559
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AO4813
CSD88584Q5DC
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$0 $/ピース
FDMS8095AC
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$0 $/ピース
MCQ7328-TP
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UT6K3TCR1
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MSCSM70AM07CT3AG
TT8K11TCR
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SI9926CDY-T1-E3
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$0 $/ピース

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