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DMN2020LSN-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

非準拠

DMN2020LSN-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.15113 -
6,000 $0.14288 -
15,000 $0.13463 -
30,000 $0.12473 -
75,000 $0.12060 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.6 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1149 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 610mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SC-59-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

STB7ANM60N
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STF7N90K5
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SI2308CDS-T1-GE3
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SI6415DQ-T1-BE3
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