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DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

compliant

DMN2022UNS-7 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.26925 -
6,000 $0.25275 -
10,000 $0.24450 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.7A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20.3nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1870pF @ 10V
パワー - 最大 1.2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (Type UXB)
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