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DMN2026UVT-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

非準拠

DMN2026UVT-13 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18.4 nC @ 8 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 887 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.15W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TSOT-23-6
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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