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DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

compliant

DMN2029USD-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.17631 -
5,000 $0.16669 -
12,500 $0.15706 -
25,000 $0.14551 -
62,500 $0.14070 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.8A
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18.6nC @ 8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1171pF @ 10V
パワー - 最大 1.2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
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関連部品番号

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SI4963BDY-T1-GE3
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ISL6594ACRZ-TR5212
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