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DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

compliant

DMN3009SFGQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.45492 $0.45492
500 $0.4503708 $225.1854
1000 $0.4458216 $445.8216
1500 $0.4412724 $661.9086
2000 $0.4367232 $873.4464
2500 $0.432174 $1080.435
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 900mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

NTTFS016N06CTAG
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SCT2160KEHRC11
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BUK9Y22-60ELX
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