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DMN3016LSS-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO

compliant

DMN3016LSS-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.21526 -
5,000 $0.20284 -
12,500 $0.19040 -
25,000 $0.18170 -
62,500 $0.18080 -
7489 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1415 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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