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DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8

compliant

DMN3018SFG-13 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16664 -
6,000 $0.15754 -
15,000 $0.14845 -
30,000 $0.13753 -
75,000 $0.13298 -
4684 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 697 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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