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DMN3029LFG-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

compliant

DMN3029LFG-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.16658 $0.16658
500 $0.1649142 $82.4571
1000 $0.1632484 $163.2484
1500 $0.1615826 $242.3739
2000 $0.1599168 $319.8336
2500 $0.158251 $395.6275
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 580 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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