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DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

compliant

DMN3032LE-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.23812 -
5,000 $0.22438 -
12,500 $0.21062 -
25,000 $0.20100 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 29mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 498 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

ISL9N312AS3ST
SSM3K36FS,LF
IXTH450P2
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DMP2110UQ-13
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DMT32M4LPSW-13
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FDD6N50TM-WS
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RM60N40LD
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