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DMN3060LWQ-13

DMN3060LWQ-13

DMN3060LWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

compliant

DMN3060LWQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.07251 $0.07251
500 $0.0717849 $35.89245
1000 $0.0710598 $71.0598
1500 $0.0703347 $105.50205
2000 $0.0696096 $139.2192
2500 $0.0688845 $172.21125
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.6 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 395 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
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